A Samsung anunciou nesta quarta-feira (30) um novo chip de memória interna com 1 TB de capacidade. O dispositivo utiliza um sistema Universal Flash Storage embutido (eUFS) 2.1 e é o primeiro do mundo a oferecer tanto espaço para armazenamento para um smartphone, dando a ele mais memória do que muitos notebooks.
“A expectativa é de que o eUFS de 1 TB desempenhe um papel crítico na oferta de uma experiência de usuário mais semelhante à de um notebook para a próxima geração de dispositivos móveis”, comentou Cheol Choi, vice-presidente executivo de Marketging & Comércio de Memórias da Samsung.
A nova memória de 1 TB mantém as dimensões de seus antecessores, combina 16 camadas de memória flash V-NAND de 512 gigabits (Gb) e tem um novo controlador proprietário desenvolvido pela Samsung. O novo chip oferece velocidade de leitura sequencial de 1 gigabyte por segundo (GB/s) e de gravação sequencial de 260 MB/s; já a leitura aleatória tem velocidade de 58 mil IOPS, enquanto a gravação aleatória acontece a 50 mil IOPS.
A título de comparação, enquanto um dispositivo com 64 GB pode armazenar 13 vídeos em 4K com 10 minutos de duração, a nova memória de 1 TB consegue guardar 260 arquivos do mesmo tamanho.
Espaço de sobra já em 2019
A Samsung anunciou que vai incrementar a produção das memórias V-NAND de 512 Gb de quinta geração a fim de garantir a demanda das novas memórias eUFS de 1 TB. Segundo a empresa, o produto deve dar as caras já nos principais flagships de 2019, ou seja, é bem provável que os Galaxy S10 venham com uma bela surpresa no quesito memória interna.
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